为提高聚酰亚胺纳米复合薄膜的耐电晕性能,利用大气压空气等离子体和硅烷偶联剂对纳米粒子表面进行改性,通过原位聚合法制备聚酰亚胺纳米复合薄膜,利用傅里叶红外光谱(FTIR)分析等离子体处理对纳米粒子表面化学键的影响,利用扫描电镜(SEM)分析了纳米粒子在薄膜中的分散特性,测试了聚酰亚胺纳米复合薄膜的介电频率谱和耐电晕时间。研究结果表明:纳米粒子经过等离子体处理后,通过氢键在其表面吸附大量的硅烷偶联剂,薄膜内团聚体颗粒大小下降了约60%;复合薄膜的介电常数有所下降,但电导损耗有所增加,纳米复合薄膜耐电晕寿命提高了28.12%。耐电晕性能的影响-电动折弯机数控滚圆机滚弧机张家港钢管滚圆机滚弧机折弯机研究发现,等离子体改性纳米粒子后,增强了纳米粒子和聚合物基体的相互作用,提高了界面的耐电晕能力,同时增加了薄膜内界面体积分数,使界面区域介电双层结构发生重叠,提高了薄膜的电导率,促进薄膜内部电荷的消散,从而提高了薄膜的耐电晕寿命分析等离子体处理对纳米粒子表面化学键的影响，利用扫描电镜（SEM）研究了纳米粒子在薄膜中的分散特性，测试了聚酰亚胺纳米复合薄膜的介电频率谱和耐电晕时间，   

转载 最后讨论分析了纳米粒子等离子体改性对聚酰亚胺纳米复合薄膜耐电晕寿命影响机理。1试验方案1.1纳米粒子表面改性本文使用的纳米粒子是纳米Al2O3，粒径为20nm，对纳米粒子表面改性采用2种方案，1种是先用等离子体改性再用硅烷偶联剂KH550改性，另1种只用KH550改性。等离子体改性纳米粒子采用介质阻挡放电平台，如图1所示。试验平台包括：低温等离子体电源、电极、介质阻挡板和示波器。其中低温等离子体电源型号为CTP2000K，输出电压0~30kV，输出频率范围为5Hz~20kHz，改性纳米粒子时，等离子体功率密度为20W/cm3；电极分为高压电极和低压电极，电极材料均为不锈钢圆柱体，直径为51mm；介质阻挡板为陶瓷片，厚度为1.5mm，上下两块介质板间距为1mm；示波器型号为TektronixMDO3024，其带宽为200MHz，采样频率为2.5GHz。为了使纳米粒子均匀改性，每次改性时，在低压电极处的介质阻挡板上均匀铺上80mg纳米Al2O3，打开等离子体电源，调整其功率密度为20W/cm3且放电为均匀放电后开始用等离子体改性纳米粒子，2min后关闭电源，并对介质板上的纳米颗粒进行搅拌，重新均匀铺在介质板上，再改性2min，如此进行3次，总的改性时间为6min。利用KH550改性纳米粒子的流程如图2所示。在100mL（含乙醇95mL和水5mL）的混合液中，加入一定量的纳米氧化铝和硅烷偶联剂，偶联剂图1纳米粒子等离子体改性试耐电晕性能的影响-电动折弯机数控滚圆机滚弧机张家港钢管滚圆机滚弧机折弯机    转载