真空沿面闪络一直是限制相关高压技术应用的重要问题,因此通过深入认识真空沿面闪络形成过程等离子体演化特性来掌握影响等离子体形成和演变的主要因素,对进一步提高相关器件耐压性能有重要意义。为此基于金属-真空-绝缘体交界处的三相点场致电子发射、绝缘体表面电荷累积、二次电子发射、气体解吸附及电子与解吸附气体相互作用等基本物理过程,通过二维轴对称PIC-DSMC(网格质点法-直接模拟蒙特卡罗法)耦合算法建立了1 mm间隙的真空沿面闪络仿真模型,阐明了电子、离子和中性粒子的时空分布演化特性,揭示了绝缘体表面电荷累积对阴极表面电场的增强作用以及其导致的三相点场致发射电子增加,阐明了阴极附近正离子大量出现并增强场致发射导致了阴极附近首先形成电子雪崩并从而引起真空沿面闪络的物理过程,从而获得了完整的真空沿面闪络形成过程中的等离子体演化特性,这为深入理解真空沿面闪络机制和进一步提高相关器件性能奠定了基础。 型能够同时跟踪带电粒子与中性粒子的运动行为及相互作用，更准确地模拟中性粒子运动对相关物理过程的影响）建立1mm间隙真空沿面闪络形成过程仿真模型，揭示绝缘体表面电荷积累对三相点场致电子发射的影响、  

转载 耦合算法的真空沿面-电动液压弯管机折弯机张家港数控钢管滚圆机弯管机解吸附气体的产生及其影响等，这些会为深入理解真空沿面闪络机制和进一步提高相关器件性能奠定坚实的理论基矗1计算模型发生真空沿面闪络的典型器件结构一般是由两个同轴的圆柱形平板金属电极和一个绝缘体组成，因此其可以看作一个二维平面结构绕中心对称轴旋转得到，且可以通过二维轴对称模型表示，如图1所示。所以能够基于二维轴对称的网格质点法–直接模拟蒙特卡罗法（PIC-DSMC）的耦合算法开展真空沿面闪络过程的仿真模拟，在仿真模型中设置绝缘体材料为陶瓷，Z向长度1mm，介电常数为9.6；而阴、阳极材料都为钼，同时根据相关实验结果设置阴极接地，阳极电压为直流3000V[12-13]；初始背景气体一般为残留的空气，同时也为了减少模拟计算的气体种类，可以设置初始背景气体为N2和O2各1×107Pa；而总计算区域为Z向1.4mm，R向1mm，边界处设置为电边界条件。金属真空绝缘体交界处三相点场致电子发射是目前公认的导致真空沿面闪络的起始物理过程，而根据实验得到的沿面闪络击穿电压计算得到的三相点处初始静电场通常不满足场致电子发射的要求，因此韩国Ulsan大学的Chung等人从理论上分析了三相点附近介质效应对电场的影响，发现了三相点附近存在电场增强效应，其增强因子受角度等因素影响约为几到几十[14]。同时考虑到金属比绝缘体更容易发射电子，而通过Chung等人的理论公式和相关静电场模拟可以发现电场增强效应最明显的?耦合算法的真空沿面-电动液压弯管机折弯机张家港数控钢管滚圆机弯管机   转载